美國(guó)Setra西特217型壓力變送器
217G025PGE11106J
217G050PGE11106J
217G250PGE11106J
217G500PGE11106J
217G1000PGE11106J
217G2000PGE11106J
217G3000PGE11106J
217G0R7BGE11106J
217G3R4BGE11106J
217G017BGE11106J
217G007BGE11106J
217G035BGE11106J
217G138BGE11106J
美國(guó)Setra西特217型壓力變送器專為模塊式 “Block” 氣體棒和面板設(shè)計(jì)，非常適合惡劣環(huán)境（例如冷氣流導(dǎo)致的溫度瞬變下的壓力測(cè)量應(yīng)用于·模塊式“Block”氣體棒和面板·高純度氣體輸送系統(tǒng)半導(dǎo)體過程工具。
特性
·316 L VIM/VAR 不銹鋼
·表面拋光度 7 Ra
·1×10-9 ATM.CC/sec 級(jí)別的氨滲漏實(shí)驗(yàn)
·出色的穩(wěn)定性，避免停機(jī)
·可選帶 C 型或 W 型密封的壓力端口
·抗電磁干擾 / 射頻干擾，可防止誤停機(jī)
·易于吹掃
·符合 CE 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)要求
模塊式“Block”氣體棒和面板·高純度氣體輸·半導(dǎo)體過程工具
217 型壓力變送器可選帶 C 型或 W 型密封的朝下安裝的壓力
端口，帶有易于吹掃的小型傳感器腔室。所有接液部件均采
用 VIM/VAR 316L 不銹鋼制造，且表面鈍化拋光至 5 Ra（
大 7 Ra），確保表面平整且耐化學(xué)腐蝕，實(shí)現(xiàn)無污染氣體輸送。
每個(gè)傳感器都采用質(zhì)譜儀進(jìn)行了 1 x 10-9 ATM.CC/sec 級(jí)別的
氦滲漏試驗(yàn)。
217 型壓力變送器可選 5 VDC、 10 VDC 或 4-20 mA 三種
輸出類型，并提供多種標(biāo)準(zhǔn)電氣接口。頂部外側(cè)帶有零點(diǎn)
和量程調(diào)整裝置，進(jìn)一步體現(xiàn)了設(shè)計(jì)，適合所有朝下
安裝的 UHP（超高純）壓力測(cè)量應(yīng)用。 217 型同時(shí)也是
一款獲磚利的可變電容傳感器，采用 316L 不銹鋼隔膜和
絕緣電極板，可變電容在傳感器本體與電極板之間形成。
當(dāng)氣體壓力提升時(shí)，隔膜會(huì)變得略圓，使電容減小。傳感
器將檢測(cè)到電容變化，并基于磚利的電荷平衡原理，通過
Setra定制集成電路將其轉(zhuǎn)換為高精度的線性直流
電信號(hào)。
Setra 所有的超高純系列產(chǎn)品都基于 Setra 成熟的電容傳
感技術(shù)制造，能提供幾乎不受 EMI/RFI 干擾的高精度、穩(wěn)
定的電壓或電流輸出信號(hào)。
性能數(shù)據(jù)
jing確RSS*（恒定溫度下）±0.25%全量程或讀數(shù)±1.0%
非線性，BFSL±0.15%全量程
滯后0.20%全量程
非重復(fù)性0.02%全量程
熱效應(yīng)**
補(bǔ)償范圍oF(℃)+15到+150（-9到+65）
零點(diǎn)漂移%FS/100oF(50℃)2.0(1.8)
范圍漂移%FS/100oF(50℃)2.0(1.8)
*非線性、非重復(fù)性和遲滯的RSS（和方根）值。
**在額定70oF下校驗(yàn)過的設(shè)備。根據(jù)此數(shù)據(jù)而計(jì)算的**溫度誤差。
環(huán)境數(shù)據(jù)
溫度
工作溫度*oF(℃)-40到+185（-40到+85）
儲(chǔ)存溫度oF(℃)-40到+185（-40到+85）
*工作溫度僅是電子設(shè)備的溫度Ji限。受壓媒介的溫度可能要高或低很多。
物理描述
外殼不銹鋼
電氣連接6ft.多芯電纜，Bayonetor
D-型接頭
壓力接頭下安裝“C”密封
通風(fēng)通過零點(diǎn)和范圍接近螺釘
重量6.5oz(184g)
電氣數(shù)據(jù)（電壓）
電路3根導(dǎo)線（Exc、Out、Com）
激勵(lì)10至30VDC（5VFSO）
13至30VDC（10VFSO）
輸出*0至5VDC或0.2至5.2VDC**
0至10VDC或0.2至10.2VDC**
電流消耗<8mA
*校準(zhǔn)精度為50Kohm負(fù)荷，可操作5000ohm或更大的負(fù)荷。
**零點(diǎn)輸出的出廠設(shè)置在±25mV之內(nèi)（限5VDC輸出）
或±50mV(限10VDC輸出)。
**范圍（全量程）輸出的出廠設(shè)置在±25mV之內(nèi)
（限5VDC輸出）或±50mV(限10VDC輸出)。
