蔡司雙束電鏡Crossbeam系列結合了高分辨率場發射掃描電鏡(FE-SEM)的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束(FIB)的優異加工能力。無論是用于多用戶實驗平臺，還是科研或工業實驗室， 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念，您可基于自身需求隨時升級儀器系統(例如使用LaserFIB進行大規模材料加工)。在加工、成像或是實現三維重構分析時，Crossbeam系列將大大提升您的聚焦離子束(FIB)應用效率。

　　使您的掃描電鏡(SEM)具備強大的洞察力

　　提升您的聚集離子束(FIB)樣品制備效率

　　在您的雙束電鏡(FIB-SEM)分析中體驗出色的三維空間分辨率

　　產品優勢

　　使您的掃描電鏡具備強大的洞察力

　　配置Gemini光學系統的蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

　　通過樣品臺減速技術(Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學系統的一項功能)實現低電壓電子束分辨率提升高達30%。

　　使用Gemini電子光學系統，您可以從高分辨率掃描電鏡(SEM)圖像中獲取真實的樣品信息。

　　在進行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。

　　即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。

　　借助一系列的探測器實現樣品的方位表征;使用特的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。

　　使用低電壓表征不導電樣品，消除荷電效應的影響。

　　提升您的聚焦離子束(FIB)樣品制備效率

　　得益于智能聚焦離子束(FIB)的掃描策略，移除材料相比以往實驗快40%以上。

　　鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質量，從而加快實驗進程。

　　使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。

　　制備TEM樣品時，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷。

　　在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率

　　體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優勢。

　　在切割、成像或執行三維分析時，Crossbeam系列將提升您的FIB應用效率。

　　使用*的快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。

　　使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析。

　　雙束電鏡的斷層成像可獲得優異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸;使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。