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　　硅片單面減薄技能首要使用于6500V高壓系列的可控硅、整流二極管、高密度二極管的消費工藝，單面減薄的作用是前進硅片單面的外表毫伏數，以便于下一步磷擴散工序的順利完結。目前，國內其他企業(yè)都選用常規(guī)減薄工藝，即用磨床減薄。

　　其存在如下問題：減薄的平均性差，減去的厚度難以精確操控，簡略碎片，并且經過金剛砂研磨，又引進雜質，構成硅片外表態(tài)難以操控。本發(fā)明的目的是為了供給一種處理上述問題的構造規(guī)劃合理、操作簡略的硅片化學減薄設備，完結硅片單面化學減薄，不只消費批量大，并且前進了廢品率，儉省資源，下降消費本錢。

　　本發(fā)明的技能方案是：一種硅片化學減薄設備，包含盛裝混酸液體的箱體，其特征在于：所述箱體底面使用立柱固定有程度支撐板，所述程度支撐板下方固定有氣體鼓泡盒且程度支撐板上開設有與氣體鼓泡盒相通的矩陣狀氣泡通孔，所述程度支撐板上方設有支架且所述支架上支撐有用于裝夾硅片的旋轉提籃。

　　所述旋轉提籃由兩個圓形固定板、橫向布置于兩個圓形固定板之間的四根提籃桿組成，四根提籃桿以圓形固定板的中心線為對稱中心平均散布，所述提籃桿沿其長度方向平均設有多個徑向環(huán)形槽，四根提籃桿的徑向環(huán)形槽方位互相對應且構成多個垂直方向的硅片裝夾槽。