氧化鈰拋光液在硅片拋光機拋光時運用的非常廣泛，由于很多研磨操作者只會去用很少用心去研究它的拋光機理，所以在運用過程中會出現一些小偏差。本文中我們將重點講述納米級氧化鈰拋光液的制備和在硅片拋光機上的拋光機理。此文章僅提供給硅片表面處理的公司做下參考，希望你們能在此學到研磨拋光的知識。

　　納米氧化鈰對硅片進行化學機械拋光，首先是源于拋光液的化學腐蝕作用,根據摩擦化學的相關理論,拋光過程中,磨粒與硅片局部接觸點處會產生高溫高壓,這會導致一系列復雜的摩擦化學反應。與熱化學反應相比,摩擦化學反應所需要的自由能僅為熱化學反應活化自由能的1% --10%,在某些的摩擦狀況下甚至可以觀察到熱化學反應條件下所不能進行的摩擦化學反應。

納米氧化鈰拋光硅片的模型如圖6所示。

在圖6中的凸處及深度小于磨料直徑的凹處,會發生一系列復雜的摩擦化學反應。納米氧化鈰與水發生水合反應,其產物及強堿KOH會與硅片表面發生氧化還原反應,生成SiO32。

水解產物H2SiO3能部分聚合成多硅酸,同時另一部分H2SiO3電離生成離子SiO32-,結果形成硅酸膠體 {[SiO2]m·nSiO32-·2(n-x)H+}2x-·2xH+覆蓋在硅片表面上,軟質層厚度不會超過磨粒粒徑,一般可過磨料的機械磨削作用去除。同時氧化鈰也具有絡合作用,能迅速地將SiO32- 等轉化為絡合物[Ce(SiO)3]32-,可加速反應去除。其絡合反應式為:

　　而對于圖6中硅片表面的凹處,當其深度大于磨料直徑時,在拋光時磨料機械作用基本沒有影響,不會發生復雜的摩擦化學反應,只會發生熱化學反應,因此硅片表面的化學腐蝕作用有所降低,腐蝕層厚度較凸處小,成分也不同。根據修正后的Presto方程:Vr=KPαSβ(6)式中Vr為機械去除速率;K為 Preston常數;P為壓力;S為拋光盤與硅片表面的相對線速率,α、β為大于0的系數。Vr隨壓力的增大而增大,當P=0時,Vr=0,拋光壓力一般通過磨粒作用于硅片表面,在劃痕深度遠大于磨料直徑的凹處,磨粒是以隨意狀態分布在凹處的,壓力幾乎為0,此時磨粒不會對軟質層產生機械去除作用,軟質層對硅片表面還有保護作用,阻礙化學腐蝕作用繼續進行。當P>0時,Vr>0,拋光液中的CeO2起機械磨削作用,它和拋光墊一起對硅片表面摩擦,磨去化學反應生成物進入拋光液中,隨拋光液流出硅片表面,使得新鮮的Si表面裸露,而繼續與堿反應,產物再從表面被磨削下來,周而復始,這樣,隨著拋光的繼續進行,硅片表面逐漸趨于平整,硅片表面各點的拋光速率差異逐漸減小直至為0,當dV=0時,即可獲得拋光鏡面。

　　根據以上實驗結論得知：

　　1)納米氧化鈰可對硅片進行超精密拋光,拋光后在面積172μm×128μm范圍內硅片的表面粗糙度Ra為0. 689 nm。

　　2)納米氧化鈰磨料比納米SiO2磨料拋光硅片速率快的原因可能是:納米CeO2比納米SiO2更易腐蝕硅片表面,化學作用更勝;腐蝕層莫氏硬度更小也可能是一個影響因素。

　　3)納米氧化鈰拋光硅片是化學腐蝕和機械作用相結合的過程,在硅片表面不同高度的各點存在拋光速率梯度,該梯度會隨著拋光的進行逐漸消失,當dV=0時,即可獲得拋光鏡面。

　　由此可見需要拋光到鏡面，在硅片拋光機上進行拋光時選用的拋光液也非常重要。選用氧化鈰拋光液比二氧化硅拋光液一定程度上更容易達到效果。深圳海德不僅生產硅片拋光機還配置各種硅片拋光液，可免費試樣，根據客戶的要求單獨配置，!