深圳市星際金華優勢提供 PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS N溝道單項分立晶體管，原裝*，*，價格實惠，海量庫存！

產品詳細規格參數：

PSMN005-75B：

FET 類型    N 溝道
技術    MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）    75V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）    75A（Tc）
驅動電壓     10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On   5 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）    4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）    165nC @ 10V
Vgs   ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）     8250pF @ 25V
功率耗散     230W（Tc）
工作溫度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型    表面貼裝
供應商器件封裝    D2PAK
封裝/外殼    TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

PSMN3R3-80BS：

FET 類型    N 溝道
技術    MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）    80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）    120A（Tc）
驅動電壓     10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On     3.5 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）    4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）     111nC @ 10V
Vgs    ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）     8161pF @ 40V
功率耗散    306W（Tc）
工作溫度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型    表面貼裝
供應商器件封裝    D2PAK
封裝/外殼    TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS N溝道單項分立晶體管由星際金華*現貨供應，更多產品詳情，請詢問公司工作人員！