NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 單項晶體管：

規格：

NTMFS4955NT1G：

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 9.7A（Ta），48A（Tc）

驅動電壓（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值） 6 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（大值） 2.2V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值） 10.8nC @ 4.5V

Vgs（大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值） 1264pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 920mW（Ta），23.2W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼 8-PowerTDFN，5 引線

STP21N65M5：

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 650V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 17A（Tc）

驅動電壓（大 Rds On，小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值） 190 毫歐 @ 8.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（大值） 5V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值） 50nC @ 10V

Vgs（大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值） 1950pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 125W（Tc）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

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